红星资本局9月29日消息 9月28日晚间，长鑫科技（688825.SH）公告称，公司董事会审议通过投资建设两大新项目的议案，项目总投资349亿元。其中，技术研发项目投资总额241亿元，存储器晶圆后道测试基地二期项目投资总额108亿元。
上述两个项目合计使用超募资金180亿元。具体而言，技术研发项目拟使用超募资金130亿元；后道测试基地二期项目拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金50亿元。
此前，长鑫科技IPO募集资金总额666.07亿元，扣除发行费用后净额663.10亿元，较原计划295亿元超募约368亿元。此次公告落地180亿元超募资金使用方向，剩余约188亿元超募资金安排仍待后续披露。
349亿元背后：研发与测试双线推进
241亿元技术研发项目是本次投资的重心。长鑫科技在公告中表示，构筑核心竞争力与长远发展的根本在于推进产品与制程工艺迭代升级，公司必须依托持续研发投入驱动工艺技术代际演进，确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性能上不断实现提升。
108亿元后道测试基地二期项目则指向产能配套短板。公司明确指出，测试是DRAM生产中不可或缺的环节，随着产能提升和产品种类增多，公司可能面临外部封测厂测试产能不足的问题。自建测试产能有助于避免测试环节成为产能瓶颈，同时降低DRAM芯片测试成本，进一步完善IDM模式。
资金结构上，130亿元超募资金直接投入研发，50亿元通过增资和借款注入子公司用于测试基地建设。
盈利改善也为持续投入提供了支撑：公司2025年全年实现营收617.99亿元，归母净利润18.75亿元；2026年一季度营收508亿元，同比增长719%，归母净利润247.62亿元。
▲资料图。图据视觉中国
“超级周期”下的扩产与产业链机遇
349亿元的投向，本质上是对存储芯片“超级周期”的回应。
Counterpoint Research数据显示，2026年第一季度内存价格较2025年第四季度末已上涨80%至90%，DRAM、NAND及HBM全品类价格均创历史新高。
从供需看，IDC预测2026年全球DRAM供应同比增长仅16%，而需求增速达45%，市场推断供需缺口预计将持续至2027年上半年。SK集团董事长崔泰源甚至公开预警，由于芯片生产存在系统性瓶颈，全球内存芯片短缺很可能持续到2030年。
不光是长鑫，三星、SK海力士、美光2026年合计资本支出接近1200亿美元，均创各自历史新高。
产能数据是衡量竞争力的关键坐标。长鑫正在逼近全球第三的产能体量。目前，长鑫存储在合肥运营两座12英寸DRAM晶圆厂，在北京亦庄运营一座，每座工厂月产能约为10万片晶圆，合计约30万片。据SemiAnalysis预计，长鑫科技2026年底月产能约达35万片，2028年有望增至50万片。作为对比，美光2026年月产量预计约37.5万片。
349亿元投资的产业链传导效应已经开始被市场关注。241亿元技术研发项目将直接拉动半导体设备、材料需求，108亿元后道测试基地则涉及封测环节。中信证券研报指出，长鑫上市有望持续拉动扩产，设备国产化率有望逐步提升，建议重点关注设备、封测、模组及IC载板产业链相关公司。中信建投也持类似判断，认为随着存储产能扩张，新一轮资本开支周期下国产设备、零部件、材料将深度受益。
长鑫科技昨日收盘报53.80元，下跌4.27%；今日盘中股价反弹，截至午盘收盘，报54.85元，涨幅1.95%。
红星新闻记者 王田
编辑 汪垠涛
审核 何先菊
